Azərbaycanca
Deutsch
日本語
Lietuvos
සිංහල
Türkçe
Українська
United State
Bu madde, uygun değildir. (Aralık 2014) |
Çok düşük basınçlarda gaz içeren vakum çemberinde, iki elektrot arasına dc voltajı uygulanırsa, aralarında küçük voltajda bir akım geçer ve çember üzerinde düzgün bir potansiyel oluşur. Voltaj arttıkça ışıldama deşarjı oluşur. Katot akım yoğunluğu, katot üzerinde sabit kalır ve katot bölgesi, saçılan malzemenin uyarılma spektrumundan dolayı katot malzemesinin karakteristiğini gösteren renkte hafif bir ışıldamaya sahip olur. Bu renk yüzeyin saçılarak temizlenmesiyle ortaya çıkan değişim ile gözlenebilir. Daha yüksek basınçlarda, katot bölgesinin tüm katodu kapattığı görülür. Bu normal bir ışıldama bölgesidir ve iyon kaplama, saçtırmanın yapıldığı bölgedir. 1000 dc voltajda kendi kendine devam eden dc diyot gaz deşarjını elde etmek için 10 µm Argon basıncı gerekir.
İyon kaplamada, film atomları direnç şeklinde ısıtılan filamandan oluşan deşarja enjekte edilir.
Film atomları burada;
a) Filamandan geri saçtırılabilir
b) Nötral olarak substrat üzerine katmanlanabilir
c) Elektron-atom çarpışmaları ile iyonize edilebilir ve substrata hızlandırılabilirler.
d) Buhar fazından negatif yüklü küçük parçacıklara yoğunlaştırılırlar ve pozitif yüklü yüzey üzerinde toplanırlar veya sistem duvarlarında kaybolabilirler.
3.4.2) İyon Bombardımanında Katmanlama
Gaz deşarjı sırasında oluşturulan film atomları yabancı parçacık gibi davranırlar ve deşarj parametrelerinde değişiklik gösterirler. Saçtırma, gelen atomun, yüzey atomunu sökmesidir. Yüksek kütle ve enerjili parçacıklar saçtırma oranını artırırlar. Parçacıkların 60º -70º açı ile yüzeye gelmeside saçtırma oranını artıracaktır. Eğer düşük saçtırma oranına sahip bir malzeme hedef yüzeye taşınırsa, bu malzeme üzerinde koni şeklinde bir ada oluşur. Kusurların konik şekle gelmesi ile, bombardımana maruz kalan yüzey bölgesinde noktasal kusurların artan bir konsantrasyonu görülür. Bu kusurlar, düşük enerjili helyum iyonlarının bırakılması ve tuzaklama ile incelmiştir.
Eğer yapı atomuna verilen enerji 25 eV’u aşarsa, yapı atomu bir ara yapıya geçer ve nokta kusuru oluşur. Eğer enerji 25 eV’un altında ise, tüm enerji ısıya dönüşür. Isısal enerji ve yer değiştirme kombinasyonu, atom kafesinde araya girmelerin ve boşlukların difüzyonunu sağlayacaktır, dolayısıyla kayma şebekesinin oluşumu gözlenecektir.
İyon bombardımanı ile oluşan kusurlar yeteri kadar hareketsiz ise yüzey kristalografisi amorf yapıya doğru bozulur. Bir yüzeyin iyonlarla bombardıman edilmesi, hem kristallerde hem de amorf yüzeylerde saçtırma oranını değiştiren ve sertliği artıran topoğrafik değişimlerin geniş bir çeşitliliğini gösterir. Gazların, oluşturulan filmde ya da yüzey yapısında birleşme yeteneği, mobiliteye, tuzak merkezlerine ve sıcaklığa bağlıdır. Genel olarak amorf malzemelerdeki gaz bileşimi yeteneği, kristal malzemelerden daha fazladır.
Substrat üzerine gönderilen parçacıklarının büyük bir kısmı yüzeyde ısı olarak açığa çıkar. Sisteme giren kütle sıcaklığını belirler ve enerji 25 eV’un üzerine çıkmasıyla denge konumlarından uzaklaşmaya başlarlar. İyon bombardımanı, geri tepme etkilerinden dolayı yüzey kompozisyonu değişimleri ile sonuçlanır. Yüzey bölgesinde difüzyon, oluşan kompozisyonun ve yüksek sıcaklığın varlığı difüzyonu destekler.
Daha fazla bilgi için:
Kaynakça
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Bu madde Vikipedi bicem el kitabina uygun degildir Maddeyi Vikipedi standartlarina uygun bicimde duzenleyerek Vikipedi ye katkida bulunabilirsiniz Gerekli duzenleme yapilmadan bu sablon kaldirilmamalidir Aralik 2014 Cok dusuk basinclarda gaz iceren vakum cemberinde iki elektrot arasina dc voltaji uygulanirsa aralarinda kucuk voltajda bir akim gecer ve cember uzerinde duzgun bir potansiyel olusur Voltaj arttikca isildama desarji olusur Katot akim yogunlugu katot uzerinde sabit kalir ve katot bolgesi sacilan malzemenin uyarilma spektrumundan dolayi katot malzemesinin karakteristigini gosteren renkte hafif bir isildamaya sahip olur Bu renk yuzeyin sacilarak temizlenmesiyle ortaya cikan degisim ile gozlenebilir Daha yuksek basinclarda katot bolgesinin tum katodu kapattigi gorulur Bu normal bir isildama bolgesidir ve iyon kaplama sactirmanin yapildigi bolgedir 1000 dc voltajda kendi kendine devam eden dc diyot gaz desarjini elde etmek icin 10 µm Argon basinci gerekir Iyon kaplamada film atomlari direnc seklinde isitilan filamandan olusan desarja enjekte edilir Film atomlari burada a Filamandan geri sactirilabilir b Notral olarak substrat uzerine katmanlanabilir c Elektron atom carpismalari ile iyonize edilebilir ve substrata hizlandirilabilirler d Buhar fazindan negatif yuklu kucuk parcaciklara yogunlastirilirlar ve pozitif yuklu yuzey uzerinde toplanirlar veya sistem duvarlarinda kaybolabilirler 3 4 2 Iyon Bombardimaninda Katmanlama Gaz desarji sirasinda olusturulan film atomlari yabanci parcacik gibi davranirlar ve desarj parametrelerinde degisiklik gosterirler Sactirma gelen atomun yuzey atomunu sokmesidir Yuksek kutle ve enerjili parcaciklar sactirma oranini artirirlar Parcaciklarin 60º 70º aci ile yuzeye gelmeside sactirma oranini artiracaktir Eger dusuk sactirma oranina sahip bir malzeme hedef yuzeye tasinirsa bu malzeme uzerinde koni seklinde bir ada olusur Kusurlarin konik sekle gelmesi ile bombardimana maruz kalan yuzey bolgesinde noktasal kusurlarin artan bir konsantrasyonu gorulur Bu kusurlar dusuk enerjili helyum iyonlarinin birakilmasi ve tuzaklama ile incelmistir Eger yapi atomuna verilen enerji 25 eV u asarsa yapi atomu bir ara yapiya gecer ve nokta kusuru olusur Eger enerji 25 eV un altinda ise tum enerji isiya donusur Isisal enerji ve yer degistirme kombinasyonu atom kafesinde araya girmelerin ve bosluklarin difuzyonunu saglayacaktir dolayisiyla kayma sebekesinin olusumu gozlenecektir Iyon bombardimani ile olusan kusurlar yeteri kadar hareketsiz ise yuzey kristalografisi amorf yapiya dogru bozulur Bir yuzeyin iyonlarla bombardiman edilmesi hem kristallerde hem de amorf yuzeylerde sactirma oranini degistiren ve sertligi artiran topografik degisimlerin genis bir cesitliligini gosterir Gazlarin olusturulan filmde ya da yuzey yapisinda birlesme yetenegi mobiliteye tuzak merkezlerine ve sicakliga baglidir Genel olarak amorf malzemelerdeki gaz bilesimi yetenegi kristal malzemelerden daha fazladir Substrat uzerine gonderilen parcaciklarinin buyuk bir kismi yuzeyde isi olarak aciga cikar Sisteme giren kutle sicakligini belirler ve enerji 25 eV un uzerine cikmasiyla denge konumlarindan uzaklasmaya baslarlar Iyon bombardimani geri tepme etkilerinden dolayi yuzey kompozisyonu degisimleri ile sonuclanir Yuzey bolgesinde difuzyon olusan kompozisyonun ve yuksek sicakligin varligi difuzyonu destekler Daha fazla bilgi icin Fiziksel Buhar Biriktirme Ince film kaplama teknikleri Iyon kaplama Iyon tabancasiKaynakca