Azərbaycanca
Deutsch
日本語
Lietuvos
සිංහල
Türkçe
Українська
United State
Bu madde, uygun değildir. (Şubat 2016) |
Sadece okunabilir bellek (İngilizce: Read-only Memory, ROM). ROM, bilgisayarlarda ve diğer elektronik aletlerde kullanılan bir depolama birimidir. RAM gibi yazılıp silinebilen bir depolama birimi değildir. ROM içeriği sadece üretim anında yazılır. Kullanıcının kendi isteği doğrultusunda programlanamaz.
Tarihçesi
En basit yapılı transistörlü ROM, transistörün kendisi kadar eski bir tarihe sahiptir. Bileşimli mantıksal kapılar, m-bit veri çıktısının isteğe bağlı değerleri üzerine n-bit adres girdisi planı oluşturmak için elle birleştirilebilir. ROM, entegre devrelerin icadıyla Mask ROM'a haline gelmiştir.
Yazılımı
Elektrikle değiştirilebilir ROM bu tür için, yazma hızı her zaman çok hızlı okuma ise daha yavaştır. ve olağanüstü yüksek voltaj, sinyalleri etkinleştirmek yazmak uygulamak için jumper fişlerinin hareketi ve / komut kodları kilidini özel kilit gerekebilir. Modern NAND Flash (ihtiyaç) bellek hücrelerinin büyük bloklar aynı anda yazılı izin vererek, 15 MB / s gibi yüksek hızlarda (veya 70 ns / bit) ile, herhangi bir yeniden yazılabilir ROM teknolojisi yazma hızı en yükseğe ulaştırır.
Okunma hızı
RAM ve ROM hızlarının kıyası zaman içinde çeşitlilik göstermesine rağmen,2007 itibarıyla büyük RAM çipleri birçok ROM'dan daha hızlı okunmaktadır.Bu nedenle (ve standart erişime izin vermek için) ROM içeriği bazen RAM'e kopyalanır ya da ilk kullanımdan önce geçici olarak saklanır ve daha sonra RAM tarafından okunur.
Dayanıklılık ve veri saklama
Yeniden yazılabilir ROM ancak belli bir yazma sayısına kadar dayanıklıdır çünkü elektronların serbest transistör geçişi üzerindeki elektrik izolasyon katmanının içinden geçmesiyle yazma işi gerçekleşir. Her geçiş izolasyon katmanında belli bir hasara neden olur.İzolasyon katmanında kalıcı bir hasar olmadan önce ROM döngüsünü tamamlar.İlk çıkan EAROMlarda bu sınır 1.000(bin) yazma işlemiyle sınırlıyken modern Flash EEPROMlarda dayanıklılık 1.000.000(bir milyon)'a kadar ulaşmıştır.Yine de bu sınırsız sayıda yazma işlemi anlamına gelmemektedir.Bu dayanıklılık sınırı ve bit başına düşen yüksek değer gösteriyor ki yakın gelecekte flash tabanlı belleklerin manyetik disk sürücüleri tamamen yerinden etmesi pek mümkün değildir.
Tam olarak okunabilen ROM'un üzerindeki zaman aralığı yazma döngüsüyle sınırlı değildir. EPROM, EAROM, EEPROM ve Flash'ın veri saklaması, hafıza hücre transistörlerinden sızan dalgalı geçişler tarafından sınırlandırılabilir. Bu sızıntı yüksek sıcaklık ya da radyasyon tarafından hızlandırılabilir. Gizlenmiş ROMlar ve fuse/antifuse PROMlar bundan etkilenmezler, onların veri saklaması fiziksel etkilerden ziyade dahili devrenin elektriksel kalıcılığına bağlıdır.
 | Bilgisayar ile ilgili bu madde seviyesindedir. Madde içeriğini genişleterek Vikipedi'ye katkı sağlayabilirsiniz. |
wikipedia, wiki, viki, vikipedia, oku, kitap, kütüphane, kütübhane, ara, ara bul, bul, herşey, ne arasanız burada,hikayeler, makale, kitaplar, öğren, wiki, bilgi, tarih, yukle, izle, telefon için, turk, türk, türkçe, turkce, nasıl yapılır, ne demek, nasıl, yapmak, yapılır, indir, ücretsiz, ücretsiz indir, bedava, bedava indir, mp3, video, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, resim, müzik, şarkı, film, film, oyun, oyunlar, mobil, cep telefonu, telefon, android, ios, apple, samsung, iphone, xiomi, xiaomi, redmi, honor, oppo, nokia, sonya, mi, pc, web, computer, bilgisayar
Bu madde Vikipedi bicem el kitabina uygun degildir Maddeyi Vikipedi standartlarina uygun bicimde duzenleyerek Vikipedi ye katkida bulunabilirsiniz Gerekli duzenleme yapilmadan bu sablon kaldirilmamalidir Subat 2016 Sadece okunabilir bellek Ingilizce Read only Memory ROM ROM bilgisayarlarda ve diger elektronik aletlerde kullanilan bir depolama birimidir RAM gibi yazilip silinebilen bir depolama birimi degildir ROM icerigi sadece uretim aninda yazilir Kullanicinin kendi istegi dogrultusunda programlanamaz TarihcesiEn basit yapili transistorlu ROM transistorun kendisi kadar eski bir tarihe sahiptir Bilesimli mantiksal kapilar m bit veri ciktisinin istege bagli degerleri uzerine n bit adres girdisi plani olusturmak icin elle birlestirilebilir ROM entegre devrelerin icadiyla Mask ROM a haline gelmistir YazilimiElektrikle degistirilebilir ROM bu tur icin yazma hizi her zaman cok hizli okuma ise daha yavastir ve olaganustu yuksek voltaj sinyalleri etkinlestirmek yazmak uygulamak icin jumper fislerinin hareketi ve komut kodlari kilidini ozel kilit gerekebilir Modern NAND Flash ihtiyac bellek hucrelerinin buyuk bloklar ayni anda yazili izin vererek 15 MB s gibi yuksek hizlarda veya 70 ns bit ile herhangi bir yeniden yazilabilir ROM teknolojisi yazma hizi en yuksege ulastirir Okunma hizi RAM ve ROM hizlarinin kiyasi zaman icinde cesitlilik gostermesine ragmen 2007 itibariyla buyuk RAM cipleri bircok ROM dan daha hizli okunmaktadir Bu nedenle ve standart erisime izin vermek icin ROM icerigi bazen RAM e kopyalanir ya da ilk kullanimdan once gecici olarak saklanir ve daha sonra RAM tarafindan okunur Dayaniklilik ve veri saklamaYeniden yazilabilir ROM ancak belli bir yazma sayisina kadar dayaniklidir cunku elektronlarin serbest transistor gecisi uzerindeki elektrik izolasyon katmaninin icinden gecmesiyle yazma isi gerceklesir Her gecis izolasyon katmaninda belli bir hasara neden olur Izolasyon katmaninda kalici bir hasar olmadan once ROM dongusunu tamamlar Ilk cikan EAROMlarda bu sinir 1 000 bin yazma islemiyle sinirliyken modern Flash EEPROMlarda dayaniklilik 1 000 000 bir milyon a kadar ulasmistir Yine de bu sinirsiz sayida yazma islemi anlamina gelmemektedir Bu dayaniklilik siniri ve bit basina dusen yuksek deger gosteriyor ki yakin gelecekte flash tabanli belleklerin manyetik disk suruculeri tamamen yerinden etmesi pek mumkun degildir Tam olarak okunabilen ROM un uzerindeki zaman araligi yazma dongusuyle sinirli degildir EPROM EAROM EEPROM ve Flash in veri saklamasi hafiza hucre transistorlerinden sizan dalgali gecisler tarafindan sinirlandirilabilir Bu sizinti yuksek sicaklik ya da radyasyon tarafindan hizlandirilabilir Gizlenmis ROMlar ve fuse antifuse PROMlar bundan etkilenmezler onlarin veri saklamasi fiziksel etkilerden ziyade dahili devrenin elektriksel kaliciligina baglidir Bilgisayar ile ilgili bu madde taslak seviyesindedir Madde icerigini genisleterek Vikipedi ye katki saglayabilirsiniz